DDR3 RipjawsX.
G.Skill ha lanzado sus nuevos kits de memorias DDR3 de alto rendimiento RipjawsX series , diseñadas para acompañar a los procesadores Intel Sandy Bridge y placas de chipset H67 y P67 (aunque no son exclusivas para esta plataforma). La nueva serie consiste en un completo rango de módulos DDR3 con velocidades de 1,333MHz, 1,600MHz, 1,866MHz, 2,133MHz, 2,200MHz y 2,300MHz con latencias -según las velocidades- de CL6, 7, 8 y 9 y voltajes de 1.5 y 1.6v dependiendo del modelo. Estas memorias vienen en Kits de 4, 8 y 16GB. Más detalles y especificaciones luego del corte.
DDR4 Samsung.
Las Nuevas Memorias RAM DDR4 de Samsung han llegado con una serie de novedadesy mejoras con respecto a sus antecesoras, tanto en el rendimiento como en el consumo, con los cuales seguramente se abrirán paso en el mercado y darán el pie a otros desarrolos de mejor nivel.
Memorias DFG-FET creadas para sustituir memorias RAM y flash.
Desde la Universidad Estatal de Carolina del norte llega una nueva tecnología que aún se encuentra en desarrollo. Científicos de dicha entidad están creando una memoria universal que valdría para servir como memorias de almacenamiento volátil y no volátil, por ejemplo la memoria RAM y la memoria Flash, respectivamente.
Esta tecnología se denomina DFG-FET (Dual-Floating Gate Field Effect Transistors), se trata de chips de memoria capaces de alterar su estado, por otro lado demandan menos potencia de consumo. Las memorias DFG-FET permitirían de forma instantánea reanudar equipos en modo reposo, tan sólo necesitan de una pequeña batería, que será la encargada de alterar dicho estado.
De momento, no sabemos cuándo llegarán, lo que sí se puede suponer, es que podrían cambiar de nuevo los paradigmas de almacenamiento.
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